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IXTN170P10P

モジュール; シングル トランジスター; -100V; -170A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; 890W

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXTN170P10P
TMEシンボル:
IXTN170P10P

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
-100V
ドレイン電流
-170A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
14mΩ
パルスドレイン電流
-510A
電力損失
890W
技術
PolarP™
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
240nC
逆回復時間
176ns
ゲートーソース電圧
±30V
構造的搭載
ネジ
総重量30 g
証明書
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IXTN170P10P
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