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IXTN210P10T

モジュール; シングル トランジスター; -100V; -210A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; 830W

メーカー: IXYS

メーカー品番:
IXTN210P10T
TMEシンボル:
IXTN210P10T

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
-100V
ドレイン電流
-210A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
7.5mΩ
パルスドレイン電流
-800A
電力損失
830W
技術
TrenchP™
チャンネル種別
強化された
ゲート電荷
740nC
逆回復時間
200ns
ゲートーソース電圧
±15V
構造的搭載
ネジ
総重量37.13 g
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IXTN210P10T
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