IXXN110N65B4H1
モジュール: IGBT; シングル トランジスター; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B; スクリュー
メーカー: IXYS
メーカー品番:
IXXN110N65B4H1
TMEシンボル:
IXXN110N65B4H1
仕様
メーカー | IXYS | |
半導体モジュールの種類 | IGBT | |
半導体構造 | シングル トランジスター | |
最大開路電圧 | 650V | |
コレクター電流 | 110A | |
ケース | SOT227B | |
電気的実装 | スクリュー | |
ゲートーエミッター電圧 | ±20V | |
パルスコレクタ電流 | 650A | |
電力損失 | 750W | |
技術 | GenX4™, XPT™ | |
構造的搭載 | ネジ |
総重量30 g
証明書
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