MIEB101H1200EH
モジュール: IGBT; トランジスター/トランジスター; H-ブリッジ; Urmax: 1.2kV; Ic: 128A; 630W
メーカー: IXYS
メーカー品番:
MIEB101H1200EH
TMEシンボル:
MIEB101H1200EH
仕様
メーカー | IXYS | |
半導体モジュールの種類 | IGBT | |
半導体構造 | トランジスター/トランジスター | |
トポロジー | H-ブリッジ | |
最大開路電圧 | 1.2kV | |
コレクター電流 | 128A | |
ケース | E3-Pack | |
アプリケーション 用途 | モーター, 太陽光発電 | |
電気的実装 | Press-in PCB | |
ゲートーエミッター電圧 | ±20V | |
パルスコレクタ電流 | 200A | |
電力損失 | 630W | |
技術 | Sonic FRD™, SPT+ | |
構造的搭載 | ネジ |
総重量10 g
証明書
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