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MII200-12A4

モジュール: IGBT; トランジスター/トランジスター; IGBTハーフブリッジ; Urmax: 1.2kV; Ic: 180A

メーカー: IXYS

メーカー品番:
MII200-12A4
TMEシンボル:
MII200-12A4

仕様

メーカー
IXYS
半導体モジュールの種類
IGBT
半導体構造
トランジスター/トランジスター
トポロジー
IGBTハーフブリッジ
最大開路電圧
1.2kV
コレクター電流
180A
ケース
Y3-DCB
アプリケーション 用途
モーター
電気的実装
スクリュー, ファストン端子
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
360A
電力損失
1.13kW
技術
NPT
構造的搭載
ネジ
総重量10 g
証明書
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MII200-12A4
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