EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) - 定義

EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory）は、不揮発性の半導体メモリで、古典的なROM とは異なり、その内容は繰り返し書き込みと消去が可能である。EPROMは、デバイスの開発段階やサービス段階で変更される可能性のあるデータを永久に保存するように設計されており、デジタル・メモリ技術の発展における重要な段階を象徴している。

EPROMメモリ・セルの構造は、いわゆる「フローティング・ゲート」を持つトランジスタに基づいています。 フローティング・ゲートは、電荷を蓄えることができる絶縁されたフローティング・ゲートである。トンネリング法またはアバランシェ効果現象を利用して、このゲートに電子を注入することでデータを書き込む。ゲート内の電荷の有無によってトランジスタの導電特性が変化し、記憶された論理状態に対応する。

EPROMの内容の消去は紫外線を使用して行われ、これによりフローティング・ゲートから蓄積された電荷が除去され、セルは未保存の状態に戻る。このためEPROMチップには、シリコン構造の内部を見ることができる透明な石英窓が設けられている。消去プロセスには正確な露光が必要で、比較的時間がかかるため、新しいタイプのメモリーに比べて実用性が制限される。

EPROMはその耐久性と再プログラム可能性から、組み込みシステム、テスト機器、産業用コントローラ、無電源でのデータ保持を必要とする回路などに広く使用されてきた。しかし、時が経つにつれ、紫外線を必要とせず、より簡単で高速にデータの消去や書き込みができるEEPROMやフラッシュ・メモリに取って代わられました。

技術的な限界はあるものの、EPROMはマイクロエレクトロニクスの発展において重要な役割を果たしてきた。信頼性と偶発的なデータの上書きに対する耐性が重要な特定の用途では、今日でも使用されている。

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