メムリスタ - 定義

メムリスタ（メモリスタ） は、における抵抗値が、時間経過とともにそれを通過した総電荷量に依存する非線形の2端子電子素子である。これは、メムリスタが自身の導通履歴を「記憶」しており、その現在の導通状態が過去の電流信号の関数であることを意味する。電圧が除去されても、メムリスタは直前の抵抗値を維持するため、不揮発性メモリの特性を持つことになる。

メムリスタの概念は、1971年にレオン・チュアによって、レジスタ、コンデンサ、コイルに次ぐ第4の基礎的な回路素子として理論的に提唱された。形式的には、抵抗がフラックスまたは積分電圧の時間関数として変化する素子と定義される。物理的には、メムリスタは薄膜半導体または酸化物構造として実現されることが多く、その抵抗変化はイオンの変位や材料構造内の欠陥によって生じる。

この現象を利用して、バックアップ電源を必要とせずに、アナログまたは離散的な方法で情報を保存します。従来のメモリチップとは異なり、メムリスタはデータの保存と情報処理を同時に行うことができるため、いわゆるインメモリコンピューティングやニューロモーフィックコンピューティングアーキテクチャの実現に向けた有力な候補となっています。

その特性により、メムリスタは、最新の不揮発性メモリ技術（例えばReRAMなど）、ニューラルネットワークにおける人工シナプス、次世代ロジック回路、および適応システムに応用されています。その開発は、小型化、省エネ、そして従来の電子部品では実現が困難な機能の実現に向けた新たな可能性を切り開いています。

レジスタ

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